Investigadores de las empresas IBM, Macronix y Qimonda anunciaron los resultados de una investigación conjunta que podría derivar en un nuevo tipo de memoria que eventualmente podría reemplazar a la tecnología Flash.

De acuerdo con las tres compañías, el nuevo desarrollo utiliza un “cambio de fase” para incrementar la velocidad en las memorias. Además, este tipo de tipo de tecnología consume menos energía que los chips Flash tradicionales.

Como una muestra de la potencialidad del descubrimiento, las empresas afirman haber desarrollado un prototipo que corre 500 veces más rápido que la memoria flash actual y que utiliza la mitad de la energía para escribir datos en una celda de memoria. Además el “switch” del prototipo sólo mide 3 nanómetros de alto por 20 de ancho, algo que indica que la nueva tecnología podría desarrollar chips mucho más pequeños que los actuales dispositivos flash.

Según las empresas, el nuevo tipo de memoria está basado en una aleación compleja de semiconductores desarrollada en las instalaciones del Almaden Research Center de IBM, situado en San José California. De acuerdo con la “Big Blue”, la nueva memoria fue diseñada con la ayuda de simulaciones matemáticas creadas específicamente para calcular los cambios de fase en las celdas de memoria.

La nueva aleación no necesita energía eléctrica para mantener sus cargas de fase. Esto significa que -tal como sucede con las memorias flash- el nuevo tipo de memoria es “no volátil”. Por otro lado, la flamante aleación está capacitada soportar cambios rápidos en su estructura, lo que le otorga más estabilidad y menor riesgo de pérdida de datos.

De todos modos, el nuevo descubrimiento podría implicar mucho más que un simple reemplazo de la memoria Flash. De acuerdo con los científicos involucrados en el desarrollo, IBM cree que la nueva tecnología podría ser incorporada en generaciones futuras de procesadores para PCs.

El anuncio de IBM y sus socios se produce en un contexto de creciente demanda para el almacenamiento seguro de datos, especialmente en dispositivos móviles. Otras empresas como Intel, Samsung, Toshiba y SanDisk se encuentran trabajando intensivamente para crear nuevas generaciones de memoria no volátil

Se prevé que una vez que se desarrollen líneas de producción para la nueva tecnología de IBM, los primeros dispositivos recién podrían llegar al mercado cerca del año 2015.

Via Tectimes